掩膜对准光刻机

发布者:陈红梅发布时间:2013-08-07作者:浏览次数:798

1.仪器的基本信息
仪器名称:掩膜对准光刻机
英文名:Mask Alignment System
型号:H94-27/6″
产地:中国
购买时间:2013年
存放地点:微纳加工与生物医学工程中心光刻间
管理人员:何荣祥
联系电话:027-84223798转208

2.仪器的用途
主要用于中小规模集成电路、半导体元器件、声表面波器件的研制和生产。适合硅片、玻璃片、陶瓷片的曝光,而且也适合易碎片如砷化钾、磷化铟等基片的曝光以及非圆形基片和小型基片的曝光。

3.仪器的性能指标
1)曝光类型:单面
2)曝光面积:≥φ165 mm
3)曝光照度不均匀性:≤±3%
4)曝光强度:≥10 mw/cm2(365 nm、404 nm、435 nm的组合紫外光);
5)曝光分辨率:1 μm
6)曝光模式:可选择一次曝光或套刻曝光;
7)扫描范围:X:±40 mm Y:±30 mm
8)对准范围:X、Y粗调±3 mm、细调±0.3 mm、Q粗调±15°、细调±3°
9)套刻精度:1 μm

4.结果展示