1.仪器的基本信息
仪器名称：掩膜对准光刻机
英文名：Mask Alignment System
型号：H94-27/6″
产地：中国
购买时间：2013年
存放地点：微纳加工与生物医学工程中心光刻间
管理人员：何荣祥
联系电话：027-84223798转208
2.仪器的用途
主要用于中小规模集成电路、半导体元器件、声表面波器件的研制和生产。适合硅片、玻璃片、陶瓷片的曝光，而且也适合易碎片如砷化钾、磷化铟等基片的曝光以及非圆形基片和小型基片的曝光。
3.仪器的性能指标
1）曝光类型：单面
2）曝光面积：≥φ165 mm
3）曝光照度不均匀性：≤±3%
4）曝光强度：≥10 mw/cm2（365 nm、404 nm、435 nm的组合紫外光）；
5）曝光分辨率：1 μm
6）曝光模式：可选择一次曝光或套刻曝光；
7）扫描范围：X：±40 mm Y：±30 mm
8）对准范围：X、Y粗调±3 mm、细调±0.3 mm、Q粗调±15°、细调±3°
9）套刻精度：1 μm
4.结果展示
