单壁碳纳米管的新进展:SWCNT–BN异质结构的构建与应用(交叉前沿论坛第72期)

发布者:陈红梅发布时间:2018-11-07作者:浏览次数:861

           2018111日,第72期交叉学科前沿论坛在J07五楼会议室举行。

 本期论坛由东京大学助理教授项荣博士作题为《单壁碳纳米管的新进展:SWCNT–BN异质结构的构建与应用》的学术报告。交叉学科研究院师生参加了报告会并与项教授进行了广泛而深入的学术交流。

 在本期论坛上,项教授为大家介绍了其课题组近年来在单壁纳米碳管(single-walled carbon nanotubes, SWCNT)合成方面的最新进展——包括低温生长(研究成果发表于《CARBON》杂志),亚纳米生长(研究成果发表于《NANOSCALE》杂志),手性生长(研究成果发表于《NANOSCALE》和《SCIENCE ADVANCES》杂志)及其他相关研究(发表在《ADVANCED MATERIALS》和《ADVANCED ENERGY MATERIALS》上)。

 项教授的报告从其课题组最近几年新发展的透射电镜原位表征技术切入。这项技术通过在硅基底上生长二氧化硅薄膜,让研究者可以对纳米尺度催化剂的形貌及物性变化进行长时间原位表征。项教授课题组已利用该技术观察到单金属、双金属和三金属催化剂在催化过程中原子分辨率下的形貌变化。该技术有望成为更多纳米材料的在线高分辨表征手段。

 项教授重点为听众们介绍了其团队最近在SWCNT表面利用化学气相沉积法(chemical vapor deposition, CVD生长单层或少层氮化硼方面的工作。其合成产物由透射电镜损失能谱及其他多种表征手段,结果相互印证了较高的SWCNT-BN产率,该成果已发表在论文预印本网站arXiv上。由于纳米碳管导电性能较好,而氮化硼属于绝缘体,这种奇妙的同轴一维范德华力异质结结构可能在光学特别是非线性光学领域拥有广泛的应用前景。该方法同样适用SWCNT-MoS2结构的生长。

报告尾声的提问环节,陈博磊、魏锋、程坤、付成等科研人员就新材料的性质、合成方法拓展等问题与项教授进行了热烈的交流。

报告结束后,项教授在科研人员的陪同下参观了交叉学科研究院各中心实验室。

项荣教授作第72期交叉前沿论坛报告


项荣教授简历

2003年获得中国科学技术大学学士学位,2006年在清华大学获得工程硕士学位,2009年在东京大学获得博士学位。2014年起,项荣博士受聘为东京大学工程学院助理教授。项荣教授的研究兴趣包括: 1)单壁纳米碳管的合成及能源类应用;2)透射电镜对纳米材料生长的在线表征;3)其他低维纳米材料的开发和应用。2007年至今,项荣教授已发表逾100篇研究论文。